(资料图)

滤波器在5G高集成射频模组中扮演着重要的角色，在追求产品性能的同时，“超小”、“超薄”的封装形式也成为了当下最为关注的焦点。诺思推出的全频段、高抑制、低插损、超薄WLP（Wafer Level Package——晶圆级封装）滤波芯片组合，有效帮助客户简化方案缩小尺寸提升系统解决方案。

一方面有效地缩减模块系统封装面积，同时滤波器的厚度在0.2mm左右，可以大大降低模组的整体高度。

第二方面实现WLP级别高可靠性，对封装工艺无特殊要求，兼容常规二次封装，支持模组系统级封装（SiP，System in Package）的灵活设计，实现更低插入损耗、更高的隔离度。

对于射频前端模块的中高频（MHB PAMID/FEMiD），B1/B3/B41F/B40是主流常用频段，我们新推出了支持CA需求（Carrier Aggregation载波聚合：通过将不相邻的载波频段聚合，提升传输带宽，提高上下行传输效率）的六款WLP滤波器。

其中，B1/B3隔离度在55dB以下，B1/B3交叉隔离在57dB以下，在B1/3/40/41等主要频段的抑制达到55dB，谐波和互调的抑制指标更高，更好的实现客户端CA需求。

对于5G 高功率需求，我们的DRSFP2500T可支持PC2（也称“UE Power Class2”3GPP规范用户终端功率等级2：最大输出功率+26dBm，对于滤波器耐受功率要求+32dBm），且B1/B2/B3频段的抑制在52dB以下，在射频模组设计中拥有很大优势。

诺思为5G模组客户提供完全覆盖 phase-7 Lite 模块所需的全部中高频产品：

诺思（天津）微系统有限责任公司自2011年成立以来，是国内少数具备大规模稳定交付能力、生产良率稳定、产品种类齐全、产品性能高的国产高端体声波滤波器供应商。

目前,诺思已有研制和成熟的产品600余款，已有产品频率范围覆盖了750MHz~8.5GHz；产品相对带宽为0.5%~18%。产品也有多种封装形式可供选择,主要有WLP芯片类，塑封类，陶瓷管壳封装类，在保证卓越性能的同时，将进一步为终端客户设计提供更灵活、更具性价比的射频芯片选择。

诺思自有MEMS工厂可根据客户的差异化需求，提供定制化开发服务，为用户提供更多的选择。同时我们还配备专业技术支持人员，辐射全国主要客户集中地，快速响应客户需求。